Библиографическое описание:
Шут, В. Н.
Численное моделирование гистерезисных явлений в сегнетоэлектрических материалах: программная реализация и сравнительный анализ методов = Numerical modeling of hysteresis properties in ferroelectric materials: program implementation and comparative analysis of methods / В. Н. Шут, И. Ф. Кашевич, И. Е. Сипаков
// Веснік Віцебскага дзяржаўнага ўніверсітэта. – 2025. – № 3 (128). – С. 18–28. – Библиогр.: с. 28 (10 назв.).
Аннотация:
Сегнетоэлектрики являются ключевыми материалами для энергоэффективных преобразователей, элементов электроники, устройств хранения данных. Разработанная платформа обеспечивает анализ гистерезиса на атомарном, термодинамическом и инженерном уровнях, ускоряя создание материалов нового поколения.
