Структура сегнетоэлектрических кристаллов триглицинсульфата, послойно легированных примесями внедрения

Лашкова, А. К.; Гайнутдинов, Р. В.; Толстихина, А. Л.; Ширяев, А. А.; Иванова, А. Г.; Шут, В. Н.; Кашевич, И. Ф.; Мозжаров, С. Е.; Сипаков, И. Е.

ISSN 2522-1647

dc.contributor.author	Лашкова, А. К.
dc.contributor.author	Гайнутдинов, Р. В.
dc.contributor.author	Толстихина, А. Л.
dc.contributor.author	Ширяев, А. А.
dc.contributor.author	Иванова, А. Г.
dc.contributor.author	Шут, В. Н.
dc.contributor.author	Кашевич, И. Ф.
dc.contributor.author	Мозжаров, С. Е.
dc.contributor.author	Сипаков, И. Е.
dc.date.accessioned	2026-02-03T08:00:02Z
dc.date.available	2026-02-03T08:00:02Z
dc.date.issued	2026
dc.identifier.citation	Структура сегнетоэлектрических кристаллов триглицинсульфата, послойно легированных примесями внедрения / А. К. Лашкова, Р. В. Гайнутдинов, А. Л. Толстихина [и др.] // Наука – образованию, производству, экономике : материалы 78-й Региональной научно-практической конференции преподавателей, научных сотрудников и аспирантов, Витебск, 22–23 января 2026 г. / УО «ВГУ им. П. М. Машерова». – Витебск, 2026. – С. 33–35. – Библиогр.: с. 35 (3 назв.).	ru_RU
dc.identifier.uri	https://rep.vstu.by/handle/123456789/21785
dc.description	сегнетоэлектрики	ru_RU
dc.description	сегнетоэлектрические кристаллы	ru_RU
dc.description	кристаллы триглицинсульфата	ru_RU
dc.description	триглицинсульфат	ru_RU
dc.description	структуры кристаллов	ru_RU
dc.description	доменные структуры	ru_RU
dc.description	ростовые полосчатые структуры	ru_RU
dc.description	исследование структур	ru_RU
dc.description	методы исследования	ru_RU
dc.description	СЗМ-метод	ru_RU
dc.format.mimetype	application/pdf	ru_RU
dc.language.iso	ru	ru_RU
dc.publisher	Витебский государственный технологический университет	ru_RU
dc.title	Структура сегнетоэлектрических кристаллов триглицинсульфата, послойно легированных примесями внедрения	ru_RU
dc.type	Article	ru_RU