Formation of domain configurations of doped layered TGS ferroelectric crystals

ISSN 2522-1647

Показать сокращенную информацию

dc.contributor.author Tolstikhina, A. L.
dc.contributor.author Gainutdinov, R. V.
dc.contributor.author Lashkova, А. К.
dc.contributor.author Zolotov, D. A.
dc.contributor.author Roshchin, B. S.
dc.contributor.author Shut, V. N.
dc.contributor.author Mozzharov, S. E.
dc.contributor.author Kashevich, I. F.
dc.contributor.author Шут, В. Н.
dc.date.accessioned 2025-07-02T07:52:34Z
dc.date.available 2025-07-02T07:52:34Z
dc.date.issued 2023
dc.identifier.citation Formation of domain configurations of doped layered TGS ferroelectric crystals / A. L. Tolstikhina, R. V. Gainutdinov, A. K. Lashkova [et al.] // Актуальные проблемы физики твердого тела = Аctual problems of solid state physics : сборник тезисов докладов Х Международной научной конференции, Минск, 22-26 мая 2023 г. / НАН Беларуси, НПЦ НАН Беларуси по материаловедению. - Минск, 2023. - С. 164. - Библиогр.: с. 164 (1 назв.). ru_RU
dc.identifier.uri https://rep.vstu.by/handle/123456789/20657
dc.description сегнетоэлектрики ru_RU
dc.description сегнетоэлектрические кристаллы
dc.description слоистые кристаллы
dc.description легированные кристаллы
dc.description кристаллы триглицинсульфата
dc.description кристаллы TGS
dc.description примеси в кристаллах
dc.description доменные стенки
dc.description доменная структура
dc.description формирование доменной структуры
dc.description анализ формирования
dc.description рентгенофлуоресцентный анализ
dc.format.mimetype application/pdf ru_RU
dc.language.iso en ru_RU
dc.publisher Витебский государственный технологический университет ru_RU
dc.title Formation of domain configurations of doped layered TGS ferroelectric crystals ru_RU
dc.type Article ru_RU


Файлы в этом документе

Данный элемент включен в следующие коллекции

Показать сокращенную информацию

Яндекс.Метрика